WNSC2M1K0170JQ-HXY_TO-3PF_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-3PF 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:1700V 参数3：RDON:800mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这是一款N沟道增强型高压场效应管，具备1700V的漏源击穿电压（VDSS），可承载5A连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为800mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为±22V，具备良好的驱动兼容性与栅极保护能力。器件适用于高耐压需求的开关电源、直流变换器、高压逆变电路及功率控制模块，在需要高电压隔离与效率平衡的应用中表现出色，适用于复杂电磁环境下的稳定功率切换与能量管理场景。
