LSIC1MO170E0750-HXY_TO-3PF_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-3PF 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:1700V 参数3：RDON:800mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备1700V的漏源击穿电压和5A的连续漏极电流能力，导通电阻为800mΩ，栅源电压范围支持±22V。采用碳化硅材料，器件具有优异的耐高压、耐高温性能及出色的开关速度，可显著降低开关损耗。其高热导率和抗辐射特性提升了在复杂电磁环境下的运行可靠性。适用于高效率电源转换系统，如大功率DC-DC变换器、不间断电源、光伏逆变装置及高频开关电源模块，适合对系统效率与功率密度有较高要求的电力电子设计应用。
