IMWH170R1K0M1XKSA1-HXY_TO-3PF_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-3PF 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:1700V 参数3：RDON:800mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅场效应管具有1700V的漏源击穿电压（VDSS）和5A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）为800mΩ，栅源电压范围为±22V。得益于碳化硅材料的高临界电场强度和热导率，该器件具备优异的高压阻断能力、高温工作稳定性及快速开关特性，能有效降低开关损耗，提升系统能效。适用于高电压、高频率的电力转换应用，如大功率开关电源、高压DC-DC变换器、光伏逆变单元及储能系统中的功率调节模块，适合对系统紧凑性与运行可靠性有较高要求的电力电子设计场景。
