C3M0900170D-HXY_TO-3PF_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-3PF 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:1700V 参数3：RDON:800mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这是一款N沟道增强型场效应管，具有1700V的高漏源击穿电压（VDSS），可承受较高的电压应力，适用于高压开关场合。其连续漏极电流（ID）达5A，导通电阻（RDON）典型值为800mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为±22V，具备较好的驱动兼容性。该器件适用于高压电源转换、开关电源、逆变器及高耐压需求的功率控制电路中，满足对效率与可靠性要求较高的设计场景。
