SICW1000N170Y-HXY_TO-3PF_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-3PF 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:1700V 参数3：RDON:800mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备1700V的高阻断电压和5A的连续漏极电流能力，导通电阻典型值为800mΩ，可承受最高22V的栅源电压。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的耐压能力和高温工作稳定性，开关速度快，开关损耗低。适用于高效率、高频率的电力转换场合，如高压直流变换、大功率开关电源、可再生能源逆变系统及储能装置中的功率调节模块，能够满足对功率密度和系统效率有严苛要求的场景。
