GC2M1000170D_TO-3PF_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-3PF 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:1700V 参数3：RDON:800mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有1700V的漏源击穿电压和5A的连续漏极电流能力，导通电阻为800mΩ，栅源额定电压达±22V。采用碳化硅材料，具备优异的高频开关性能与高温稳定性，可有效降低开关损耗。适用于高电压、高效率的电力电子系统，如高压直流电源转换、大功率逆变装置、可再生能源发电单元以及储能系统的功率级设计，尤其适合对功率密度、能效水平和热管理有较高要求的应用场景。
