AO4438_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:8A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:15.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有60V的漏源电压（VDSS）和20V的栅源电压（VGS），持续漏极电流可达8A，导通电阻低至15.5mΩ，适用于高效功率开关场景。器件具备较低的导通损耗和良好的热稳定性，适合用于直流电机驱动、电源转换模块及高密度电源管理系统中。其封装形式利于散热，可满足多类型电路对小型化与高效率的需求，广泛适用于各类电子设备中的功率控制应用。
