AON7246E_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:40A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:12mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有60V的漏源电压（VDSS）和±20V的栅源电压范围，持续漏极电流可达40A，导通电阻低至12mΩ，具备优异的导通性能和较低的开关损耗。其高电流承载能力与低RDS(on)特性使其适用于高效率功率转换电路，如同步整流、DC-DC变换器及电机驱动模块。器件热稳定性良好，适合在紧凑型电源设计中使用，广泛应用于通信设备、便携式电子装置及高密度电源管理系统中的主开关与功率控制环节。
