AO4813_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:11A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:14mR 参数4：沟道类型:P+P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该P沟道场效应管采用PP沟道结构，具备30V的漏源耐压（VDSS）和±20V的栅源电压范围，持续漏极电流可达11A，导通电阻为14mΩ。其较高的电流承载能力与低RDS(on)特性有助于降低功率损耗，适用于电源开关、负载切换及逆变电路中的高边驱动应用。器件可在较宽电压范围内稳定工作，适合用于便携式设备、电池供电系统及各类电子装置中的直流功率控制与管理电路。
