WNM2030-3-HXY_SOT-723_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-723 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：8000/圆盘 参数1：电流ID:1.2A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:150mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有20V的漏源电压（VDSS）和12V的栅源电压（VGS），连续漏极电流为1.2A，导通电阻典型值为150mΩ。低导通电阻有助于减少导通损耗，提高能效。器件适用于中低电压开关应用，如电源管理模块、便携式设备的负载开关、DC-DC转换电路以及各类电池供电的电子设备中的信号切换与功率控制，适合对空间和效率有要求的高密度电路设计。
