C3M0040120K-HXY_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备60A的连续漏极电流能力，导通电阻为40mΩ，适用于高效率、高频工作的电力电子系统。碳化硅材料带来优异的热导率和耐高压特性，有效提升器件在高功率密度环境下的稳定性和可靠性。该器件适用于多种高性能电源应用，如光伏逆变、储能电源、高频开关电源等，具备出色的开关性能和损耗控制能力，满足复杂应用场景下的高效能设计需求。
