SC160N120T8L-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:19A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:160mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有良好的高压耐受与导通性能。其额定漏极电流ID为19A，导通电阻RDON为160mΩ，能够在高电压环境下实现较低的导通损耗。碳化硅材料的使用提升了器件的热稳定性与能效表现，适合对功率密度和转换效率有较高要求的应用场景。该MOSFET可广泛应用于高效电源系统、智能能源管理、精密电子设备及高性能电力转换装置中，为电路设计提供稳定的技术支持。
