G3R160MT12D-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:19A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:160mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大漏极电流（ID）为19A，导通电阻（RDON）低至160mΩ，能够有效降低导通损耗并提升系统效率。碳化硅材料的使用使其具备更高的击穿电场强度与热导率，支持高频、高压与高温环境下的稳定工作。适用于高效电源转换系统、可再生能源设备及精密电子装置中的功率控制与能量调节。
