NTH4L013N120M3S-HXY_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:165A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:13mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大连续漏极电流ID可达165A，漏源导通电阻RDON低至13mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。采用碳化硅材料，具备高耐压、高热导率和低开关损耗特性，适用于高功率密度和高频开关场景。可广泛用于高效电源转换系统、可再生能源设备及智能电网相关电路中，提供稳定可靠的电力控制与传输解决方案。
