UF3C120080K3S-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:36A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:80mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），采用高纯度碳化硅材料，具备优异的耐高压与热导性能。其漏源导通电阻（RDON）为80毫欧，能在高频率与高电压环境下实现较低的导通损耗，提升整体能效。额定漏极电流（ID）为36A，适用于高功率密度电源系统。该器件具备快速开关特性与良好的稳定性，可广泛应用于高效电源变换、新能源发电设备及高频电力电子装置，为复杂应用场景下的电力系统提供坚实的技术支持。
