PMV75UP-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:3A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:75mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该P沟道场效应管额定漏源电压（VDSS）为20V，连续漏极电流（ID）可达3A，适用于低电压开关应用。其导通电阻典型值为75mΩ，在低电流负载条件下可有效控制导通损耗，提升系统能效。P沟道结构便于实现高边开关的栅极驱动，简化外围电路设计。常用于电池供电的便携式设备中，如电源路径切换、负载开关控制、充电管理电路及直流输入的反向电压保护等场景，适合对尺寸和功耗敏感的消费类电子产品与嵌入式应用。
