DMP2045UQ-13-HXY_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.1A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:34mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这是一款P沟道场效应管（MOSFET），具有20V的漏源电压（VDSS）和4.1A的连续漏极电流（ID）能力，适用于中等功率的电源开关与控制场景。其导通电阻（RDS(on)）低至34mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统效率。该器件适合用于便携式设备、电池供电单元及各类直流电源管理电路中的反向极性保护、负载开关或电源切换功能，满足对空间紧凑和功耗敏感的设计需求，适用于多种小型化电子产品。
