SI7111EDN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:65A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该P沟道场效应管具有30V漏源电压（VDSS）和65A连续漏极电流（ID），导通电阻为6.5mΩ，适用于中高功率开关场景。其P沟道特性便于实现高边驱动控制，降低栅极驱动电路复杂度。器件在低电压工作条件下具备较低的导通损耗，有助于提升系统整体能效。广泛适用于便携式电源设备、直流-直流转换模块、电池管理系统及各类高密度电源开关应用，支持稳定可靠的电流控制，满足对热性能与电气性能有较高要求的设计需求。
