SQD40031EL_GE3-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:120A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:2.5mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这是一款P沟道场效应管，具有30V的漏源电压（VDSS）和120A的连续漏极电流（ID）能力，适用于高电流开关应用。其导通电阻低至2.5mΩ，在大电流工作条件下可有效降低导通损耗，提升系统效率。器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和开关特性，适合用于电源管理模块、直流电压转换、电池供电设备的负载开关以及各类高密度功率控制电路中，是实现高效能功率切换的优选器件。
