DMP3099LQ-7-HXY_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.2A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:45mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该P沟道场效应管额定漏源电压为30V，连续漏极电流为4.2A，导通电阻为45mΩ，适用于低功率开关与电源控制场合。其P沟道结构便于用于高边开关配置，简化驱动电路设计。器件具备良好的开关特性和热稳定性，可在较小封装下实现可靠的电流控制。典型应用包括小型电子设备的电源管理、电池供电系统的通断控制、电压转换电路中的同步整流及各类对空间和能效有一定要求的便携式电子产品，适合需要中等电流承载能力的直流开关场景。
