DMP3099LQ-13-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.1A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:48mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这是一款P沟道场效应管，具有30V的漏源电压（VDSS）和4.1A的连续漏极电流（ID），导通电阻为48mΩ。该器件适用于中等功率的开关控制场合，能够在较低的驱动电压下实现稳定的导通状态。凭借其合理的导通电阻与电流能力，可有效减少功率损耗，提升系统能效。常用于便携式设备电源管理、电池供电单元的充放电控制、直流负载开关以及各类嵌入式电子系统的电压切换电路中，满足对空间和效率有要求的应用需求。
