AONS36306-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这是一款N沟道场效应管（MOSFET），具有30V的漏源电压（VDSS）和80A的连续漏极电流（ID）能力，适用于中高功率开关场景。其导通电阻低至4.7mΩ，在大电流工作条件下可有效降低导通损耗，提升系统效率。器件采用标准封装，具备良好的热稳定性和响应速度，适合用于电源管理模块、直流电机驱动、电池供电设备以及各类需要高效能功率控制的电路设计中，是实现快速开关与能量优化的常用核心元件。
