AON6512-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:150A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:1.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这是一款N沟道场效应管，具有30V的漏源电压（VDSS）和高达150A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至1.5mΩ。该器件适用于大电流开关应用，能够在高负载条件下有效降低导通损耗，提升整体能效。采用先进封装技术，具备良好的热传导性能和电流承载能力。广泛用于高性能电源转换系统、直流电机驱动、电池管理系统中的功率切换，以及对效率和空间要求较高的紧凑型电子设备中的主开关元件。
