NTMFS4C022NT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:150A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:1.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这是一款N沟道场效应管（MOSFET），具有30V漏源电压（VDSS）和高达150A的连续漏极电流（ID）能力，适用于大电流开关应用。其导通电阻低至1.5mΩ，有效降低导通损耗，提升系统能效。器件具备优异的热性能和快速开关特性，适合用于高功率电源转换、大电流直流电机驱动、电池管理系统及高效能变换器等电路中，可满足对功率密度和能量效率要求较高的设计需求，是实现稳定、高效功率控制的关键元件。
