ISC037N03L5ISATMA1-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:90A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有30V的漏源电压（VDSS）和高达90A的持续漏极电流（ID）能力，适用于高电流开关场景。其导通电阻低至3mΩ，在大电流工作条件下可有效降低导通损耗，减少发热。器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和开关特性，适合用于高效率直流-直流转换、电源管理系统及负载开关电路中。紧凑的封装设计有助于节省电路板空间，适用于对功率密度要求较高的应用场合。
