BSZ065N03LSATMA1-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:40A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有30V漏源电压（VDSS）和40A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至5mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。低RDON特性使其在高电流工作条件下具备良好的热稳定性，适用于对能效和功率密度要求较高的电路设计。典型应用包括开关电源、同步整流模块、电池供电设备的电源管理单元以及电机驱动电路中的功率开关。该器件适合集成于紧凑型高功率电子装置，用于实现高效的直流-直流转换和负载控制，满足高性能便携式设备与通信系统对可靠功率切换的需求。
