SISA88DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:40A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管具有30V漏源电压（VDSS）和40A持续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至5mΩ，可有效减少大电流下的导通损耗。器件具备优良的开关特性和热稳定性，适用于高效率电源转换电路。其低电阻与中等电流承载能力使其适合用于同步整流模块、便携式设备的电源管理单元以及直流-直流降压变换器中。紧凑的封装设计支持高密度电路布局，满足对能效和空间利用要求较高的应用场景，有助于提升整体系统效率与可靠性。
