NTMFS4936NCT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:90A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有30V的漏源电压（VDSS）和高达90A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3mΩ，可有效降低导通损耗，提升系统效率。其低电阻特性有助于减少发热，适用于高电流开关应用。器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源管理、直流-直流转换、电机驱动及高密度功率控制等场景，是高性能开关电路中的理想选择。
