DMT35M7LFV-13-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:90A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备30V漏源电压（VDSS）和90A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为3.5mΩ，在高电流工作条件下可有效降低功率损耗。低RDON有助于减少发热，提升能效，适用于对热管理要求较高的电路设计。器件采用成熟封装工艺，具有良好的电气稳定性和耐用性，适合应用于开关电源、电池供电设备、直流电机控制及大电流功率转换等场景，满足高性能功率开关对效率与可靠性的需求。
