DMN3069L-13-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:6A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:22mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有20V的漏源电压（VDSS）和6A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至22mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。低RDSON特性使其在中等功率开关应用中表现出色，适用于需要紧凑设计和良好热性能的电源管理电路。器件适用于各类电子设备中的直流电机驱动、电源转换模块及负载开关等场景，能够满足对能效和空间利用有较高要求的电路设计需求。
