DI150N03PQ-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:150A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:1.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有30V漏源电压（VDSS）和高达150A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至1.5mΩ，显著降低导通损耗，提高系统能效。超低RDON特性使其在大电流应用中具备优异的热性能和功率处理能力。器件适用于高密度电源转换、高性能开关电路、电池管理系统及直流功率调节等场景，能够满足对效率、散热和空间要求较高的设计需求，是高功率开关应用中的关键元件。
