AON6384-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:90A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有30V漏源电压（VDSS）和90A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3mΩ，具备优异的导通性能和较低的功率损耗。其低RDSON特性有助于提升系统效率，减少散热需求，适用于高密度电源设计。典型应用包括大电流开关电路、高效DC-DC转换模块、电池管理系统、便携式高功率设备中的电机驱动与电源控制，适合对能效和热管理有较高要求的电子产品。
