NVTFS4C05NWFTAG-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:120A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:2.9mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备30V漏源电压（VDSS）和高达120A的连续漏极电流（ID），适用于大电流开关场景。其导通电阻低至2.9mΩ，显著降低导通损耗，有助于提升整体能效并减少热积累。优异的电流承载能力与低RDS(on)特性使其适合用于高功率密度电源系统，如同步整流、大电流DC-DC变换器及电池供电设备中的功率控制模块。器件响应速度快，支持高频开关操作，可满足高性能数字电源和便携式大功率设备对稳定性和效率的严苛要求。
