BSC050N03LSGATMA1-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:4.3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这是一款N沟道场效应管（MOSFET），具有30V的漏源电压（VDSS）和60A的连续漏极电流（ID）能力，适用于中高功率开关场景。其导通电阻低至4.3mΩ（RDON），有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。该器件适用于需要高效直流电压转换与功率控制的电路设计，常见于电源管理模块、同步整流电路以及电机驱动单元中，作为高速开关元件使用，能够有效降低温升并提高功率密度。
