NVMFS4C03NWFT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:150A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:1.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管具有30V漏源电压（VDSS）和150A的连续漏极电流（ID），适用于高电流开关应用。其导通电阻低至1.5mΩ，有效降低导通损耗，减少工作时的热量产生，提升系统能效。优异的电气性能使其适合用于大功率电源转换电路，如大电流同步整流、高效DC-DC变换器及高密度电池管理系统中的功率控制。器件具备良好的热稳定性和快速开关响应，支持高频运行，可满足高性能电子设备对低损耗、高可靠功率器件的需求。
