SQJ848EP-T1_GE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:55A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有40V漏源电压（VDSS）和55A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至6.5mΩ，能有效降低大电流工作时的导通损耗。其低电阻特性有助于减少发热，提升系统能效和热稳定性。适用于高功率密度电源系统、便携式高能设备的功率控制、高效DC-DC转换器、电池管理系统中的开关模块，以及对导通效率和散热性能要求较高的电子设备，适合用于中等电压、大电流开关应用中的可靠功率切换。
