RS1G120MNTB-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:40A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:11mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备40V漏源电压（VDSS）和40A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为11mΩ。较低的RDSON有助于减少高负载条件下的功率损耗，提升系统能效。器件适用于中等电压直流开关应用，如大功率电源管理模块、电池供电设备中的能量切换、高效DC-DC转换电路以及对热性能和空间布局有要求的紧凑型电子产品，可满足对稳定性和导通效率有一定需求的功率控制场景。
