SI7328DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:40A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有30V的漏源电压（VDSS）和40A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至5mΩ，在高电流开关应用中可有效降低导通损耗。其低RDSON特性有助于减少功率器件的发热，提升系统整体能效。适用于大电流直流开关电源、电池管理系统中的功率控制、高性能电源转换模块以及对效率和散热有较高要求的紧凑型电子设备，是优化中等电压功率开关设计的可靠选择。
