SI7155DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:100A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:3.1mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这是一款P沟道场效应管（MOSFET），具备40V的漏源电压（VDSS）和100A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3.1mΩ。低RDON有助于减少导通损耗，提升能效，适用于需要大电流开关和功率控制的场景。P沟道结构使其在高端开关应用中驱动较为简便，适合集成在电源管理模块、直流电源转换电路以及电池供电设备的保护电路中。其高电流承载能力和低功耗特性，支持紧凑型高功率密度设计，可用于通信设备、便携式仪器及高性能计算平台的电源系统。
