SIR186LDP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:100A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:3.7mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这是一款N沟道增强型场效应管，具有60V的漏源电压（VDSS）和100A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3.7mΩ。该器件适用于需要高效能功率转换的场景，其低RDON特性有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。得益于较高的电流承载能力和良好的热稳定性，该MOSFET适合用于直流电源管理、电机驱动控制及高密度电源转换电路中，作为开关元件实现快速响应与稳定运行。
