NX138BKR-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.2A 参数2：电压VDSS:50V 参数3：RDON:1100mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有50V的漏源电压（VDSS）和0.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻为1100mΩ。其参数组合适合低功率开关应用，能够在较小电流条件下实现快速响应与较低的驱动损耗。器件适用于便携式电子设备中的电源管理电路、电池供电系统的通断控制、信号路径切换以及各类小型化嵌入式系统中的逻辑开关功能。由于具备一定的电压耐受能力和适中的导通电阻，可在消费类电子产品、智能传感器模块及低功耗通信装置中作为高效开关元件使用，满足对空间紧凑和能耗敏感的设计需求。
