DMN65D8L-7-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.3A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:1900mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有60V的漏源电压（VDSS）和0.3A的连续漏极电流（ID），导通电阻为1900mΩ。其适中的电压与电流能力，结合相对较低的导通电阻，有助于提升开关效率并减少功耗。器件适用于中低功率的直流电源管理、电池供电设备的开关控制以及各类小型电子设备中的信号切换与负载驱动，可作为高效的开关元件用于电源转换、便携式电子产品及通用模拟开关电路中，满足对空间和能效有要求的设计需求。
