IAUC120N06S5L032ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:125A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:2.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有60V的漏源电压（VDSS）和125A的连续漏极电流（ID）能力，适用于高电流开关场景。其导通电阻低至2.4mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统效率。器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和开关特性，可广泛用于各类电源转换、电机驱动及功率管理电路中，是高性能、高密度设计中实现高效能功率控制的关键元件，适用于对功耗和空间有严格要求的设备。
