ISZ0702NLSATMA1-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:100A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备60V漏源击穿电压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为4mΩ。低RDON特性可有效降低导通损耗，提升系统能效，适用于高电流开关应用。其高功率密度设计支持快速开关响应，有助于减少能量损耗和发热。该器件可应用于高效直流-直流转换电路、大电流电源开关、电池管理系统中的功率控制，以及对空间和效率要求较高的紧凑型电子设备中，作为核心开关元件实现稳定可靠的功率调节。
