NVTFS5C658NLWFTAG-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:100A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道场效应管，具有60V漏源耐压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至4mΩ。低RDON参数有助于减小导通损耗，提高电源转换效率，适用于高负载功率开关场景。器件具备良好的热稳定性和电流承载能力，适合用于高效DC-DC变换器、大功率电源模块、电池供电设备的功率控制电路，以及对能效和空间布局有较高要求的电子系统中，作为关键开关元件实现快速响应与稳定工作。
