SQJ850EP-T1_GE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:20mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有60V漏源电压（VDSS）和30A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻为20mΩ，适用于中等功率开关应用。器件具备良好的栅极控制特性和开关响应速度，有助于降低开关损耗，提升系统能效。采用标准封装，利于散热与电路集成，适合用于电源管理模块、电池供电系统、直流电机驱动及各类功率调节电路。其性能表现满足多种电子设备对稳定性和效率的需求，适用于对空间与功耗有兼顾要求的设计方案。
