NVTFS5C658NLTAG-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:100A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备60V漏源电压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，适用于中高功率开关应用。其4mΩ的低导通电阻有助于降低导通损耗，提高整体能效。器件基于成熟工艺设计，具有良好的热性能与开关稳定性，适合在紧凑型电源系统中实现高效功率切换。可广泛应用于直流-直流转换、电池供电设备的功率控制以及各类高性能电子负载的驱动电路，满足对效率与空间利用率要求较高的设计方案。
