NX6008NBKR-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.3A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:1900mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备60V的漏源电压（VDSS）和0.3A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻为1900mΩ，适用于低电流开关场景。其较高的导通电阻适合在小功率电路中实现精确的电流控制与通断功能。器件工作稳定，开关响应良好，可广泛用于便携式设备电源管理、小型电子装置的信号切换、电池供电电路的负载控制以及各类低功耗嵌入式系统中，满足对空间占用和能耗敏感的应用需求，为小型化电子设计提供基础支持。
