NTMFS5C646NLT3G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:100A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:3.7mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有60V的漏源电压（VDSS）和100A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3.7mΩ，有助于减少功率损耗并提升系统效率。其低RDON特性使其在大电流开关应用中表现出色，适用于需要高效能电源管理的设备。该器件适合用于直流-直流转换、高密度电源模块以及电池供电系统中的功率控制，能够满足对能效和散热性能有较高要求的电路设计需求。
