NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:100A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:3.7mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有60V漏源电压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3.7mΩ，具备优异的导通性能，有助于减少功率损耗并提升系统整体能效。低电阻特性使其在大电流工作条件下仍能保持较低温升，适用于高密度电源转换模块、高效直流电机驱动及大功率开关电源电路。器件适合用于对电流承载能力和热稳定性要求较高的应用场景，可为高性能电子系统中的功率开关环节提供可靠的技术支持。
